发明名称 具有自变位元线定位电路的光罩式唯读记忆体
摘要 一种具有自变位元线定位电路的光罩式唯读记忆体,包括:复数记忆单元,排列成矩阵状;复数字元线,分别耦合至上述记忆单元,用以控制上述记忆单元;复数第一虚拟接地线,分别耦合至上述记忆单元,用以控制上述记忆单元;复数第二虚拟接地线,分别耦合至上述记忆单元,用以控制上述记忆体元;复数主位元线,分别耦合至上述记忆单元,用以控制上述记忆单元;以及复数感测放大器,分别耦合至上述主位元线,用以感测上述记忆单元所储存的资料;其特征在于:设有电压对电流转换装置,可随控制记号而分别耦全至上述主位元线及第一、第二虚拟接地线两者中之一者,以当作定位电路,且上述电压对电流转换装置系依据上述主位元线1与第一、第二虚拟接地线两者中一者的电位差而输出随之变化的电流至上述第一、第二虚拟接地线两者中之一者。
申请公布号 TW223408 申请公布日期 1994.05.01
申请号 TW082219070 申请日期 1993.12.29
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 吴德顺;符识钧
分类号 G11B11/412;G11B11/413 主分类号 G11B11/412
代理机构 代理人 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1﹒一种具有自双位元线定位电路的光罩式唯 读记忆体,包括: 复数记忆单元,排列成矩阵状; 复数字元线,分别耦合至上述记忆单 元,用以控制上述记忆单元; 复数第一虚拟接地线,分别耦合至上 述记忆单元,用以控制上述记忆单元: 复数第二虚拟接地线,分别耦合至上 述记忆单元,用以控制上述记忆单元: 复数主位元线,分别耦合至上述记忆 单元,用以控制上述记忆单元;以及 复数感测放大器,分别耦合至上述主 位元线,用以感测上述记忆单元所储存的 资料; 其特征在于: 设有电压对电流转换装置,其耦合至 上述主位元线及第一、第二虚拟接地线两 者中之一者,以当作定位电路,且上述电 压对电流转换装置系依据上述主位元线与 第一、第二虚拟接地线两者中之一者的电 位差而输出随之变化的电流至上述第一、 第二虚拟接地线两者中之一者。 2﹒如申请专利范围第1项所述之具有自变位 元线定位电路的光罩式唯读记忆体,其中 ,上述电压对电流转换装置为运算跨导放 大器。 3﹒如申请专利范围第1或2项所述之具有自 变位元线定位电路的光罩式唯读记忆体, 其中,上述记忆单元为MOS场效电晶体。图示简单说 明: 第1图系显示习知具有定位电路的光罩 式唯读记忆体的部份电路示意图; 第2图系显示第1图中感测放大器的电 路图; 第3图系显示本创作之具有自变位元线 定机电路的光罩式唯读记忆体中之电压对电 流转换装置的示意图;以及 第4图系显示第3图中之电压对电流转 换装置的电路图。
地址 新竹科学工业园区工业东三路三号
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