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经营范围
发明名称
HIGH BREAKDOWN STRENGTH SEMICONDUCTOR ELEMENT
摘要
申请公布号
JPH0697439(A)
申请公布日期
1994.04.08
申请号
JP19920241846
申请日期
1992.09.10
申请人
TOSHIBA CORP
发明人
OGURA TSUNEO;YAMAGUCHI YOSHIHIRO
分类号
H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/784
主分类号
H01L29/78
代理机构
代理人
主权项
地址
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