发明名称 |
Feldeffekt-Halbleitervorrichtung mit Schutz vor Durchschlägen zwischen einem metallischen Anschluß und dem Substrat |
摘要 |
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申请公布号 |
DE3737450(C2) |
申请公布日期 |
1994.04.07 |
申请号 |
DE19873737450 |
申请日期 |
1987.11.04 |
申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD., SUWON, KR |
发明人 |
JUN, DONG-SOO, TAEGU, KR |
分类号 |
H01L29/41;H01L27/02;H01L29/06;(IPC1-7):H01L23/58;H01L23/48;H01L23/50;H01L27/10;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L29/41 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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