DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES QUE TIENEN INTERCONEXIONES METALICA A NIVELES MULTIPLES.

摘要

SE DESCRIBE UNA DISPOSICION METALICA AUTOALINEADA, AUTOPLANAR DE INTERCONEXIONES MULTINIVEL QUE USA UNAS VENTANAS AUTOALINEADAS DE CIRCUITOS INTEGRADOS. LAS TRINCHERAS SE GRABAN DENTRO DE UN DIELECTRICO (27) Y ENTONCES, USANDO UNA CAPA DE PARADA DEL GRABADO (29) SOBRE EL TECHO DEL DIELECTRICO (27) SE PREVIENE EL GRABADO NO DESEADO DEL DIELECTRICO, LAS VENTANAS AUTOALINEADAS QUE EXPONEN LAS PORCIONES DE SUBSTRATO (21) SE GRABAN EN EL DIELECTRICO (23). LAS VENTANAS AUTOALINEADAS SE PUEDEN FORMAR TAMBIEN SIN UNA MASCARA.