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发明名称 Verfahren zur Herstellung eines in Harz versiegelten Halbleiterbauelements.
摘要
申请公布号 DE3887887(D1) 申请公布日期 1994.03.24
申请号 DE19883887887 申请日期 1988.07.26
申请人 TORAY SILICONE CO., LTD., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 MINE, KATSUTOSHI, ICHIHARA-SHI CHIBA-KEN, JP;KOGO, AKEMI, CHIBA-SHI CHIBA-KEN, JP;YAMAKAWA, KIMIO, ICHIHARA-SHI CHIBA-KEN, JP;NAKAYOSHI, KAZUMI, ICHIHARA-SHI CHIBA-KEN, JP
分类号 H01L21/56;H01L23/29;(IPC1-7):H01L23/29 主分类号 H01L21/56
代理机构 代理人
主权项
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