发明名称 Memory element.
摘要 Die Erfindung betrifft ein Speicherelement in Stromschaltertechnik mit einem ersten, einem zweiten und einem dritten Transistorpaar mit jeweils emittergekoppelten Transistoren. Das zweite und dritte Transistorpaar ist in den Kollektorkreis jeweils eines der Transistoren (1, 2) des ersten Transistorpaares geschaltet. In die paarweise gekoppelten Kollektorenkreise der Transistoren (3, 5; 4, 6) des zweiten und dritten Transistorpaares sind jeweils ein erster Widerstand (16, 17), die Kollektor-Emitter-Strecke eines weiteren Transistors (7, 8) und ein zweiter Widerstand (18, 19) mit kollektorseitig angeordnetem Ausgangssignalanschluß geschaltet. Der Kollektor eines Transistors (31) eines vierten als Stromschalter geschalteten Transistorpaares ist mit der Basis eines der weiteren Transistoren (8) verbunden. Das Setzen bzw. Rücksetzen des Speicherelementes wird mittels des vierten Transistorpaares ermöglicht, ohne daß die kapazitive Belastung des Signalpfades des Speicherelementes erhöht wird. <IMAGE>
申请公布号 EP0588111(A2) 申请公布日期 1994.03.23
申请号 EP19930113494 申请日期 1993.08.24
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 DELKER, KLAUS, ING. GRAD.
分类号 G11C11/411;H03K3/286;(IPC1-7):G11C11/411 主分类号 G11C11/411
代理机构 代理人
主权项
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