发明名称 |
CRYSTAL GROWTH OF GAAS ON SILICON SUBSTRATE |
摘要 |
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申请公布号 |
JPH0669136(A) |
申请公布日期 |
1994.03.11 |
申请号 |
JP19920216004 |
申请日期 |
1992.08.13 |
申请人 |
NIPPON STEEL CORP |
发明人 |
TACHIKAWA AKIYOSHI;MORIYA AKIHIRO;SHIROU AIJI;AIGOU TAKASHI |
分类号 |
H01L21/20;H01L21/205;(IPC1-7):H01L21/205 |
主分类号 |
H01L21/20 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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