首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 Halbleiterfeldeffekttransistor mit einer Gitterisolierungsschicht aus monokristallinem Siliziumcarbid.
摘要
申请公布号 DE3882801(T2) 申请公布日期 1994.03.10
申请号 DE19883882801T 申请日期 1988.05.18
申请人 FUJITSU LTD., KAWASAKI, KANAGAWA, JP 发明人 ITO, TAKASHI, KAWASAKI-SHI KANAGAWA, 214, JP
分类号 H01L29/78;H01L29/267;H01L29/43;(IPC1-7):H01L29/64;H01L29/62 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com