| 发明名称 |
PROCESS OF CHEMICAL SEPARATION OF SILICON PLATES WITH DEEPLY DEPOSITED P - N JUNCTION INTO INDIVIDUAL CRYSTALS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
RU2008744(C1) |
申请公布日期 |
1994.02.28 |
| 申请号 |
SU19914907546 |
申请日期 |
1991.02.05 |
| 申请人 |
PROIZVODSTVENNOE OB"EDINENIE "FOTON" |
发明人 |
TSERFAS ROBERT A;GOLOVNIN VLADIMIR P;DZHUMANOVA NADEZHDA T;DENEVICH GRIGORIJ YU |
| 分类号 |
H01L21/306;(IPC1-7):H01L21/306 |
主分类号 |
H01L21/306 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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