| 发明名称 |
TERMINAL PART OF POWER STAGE OF MONOLITHIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND RELATED MANUFACTURING PROCESS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH0653510(A) |
申请公布日期 |
1994.02.25 |
| 申请号 |
JP19910150929 |
申请日期 |
1991.05.28 |
| 申请人 |
SGS THOMSON MICROELETTRONICA SPA;KONSORUTSUIO PERU LA RISERUKA SUULA MAIKUROERETSUTORONIKA NERU METSUTSUOJIORUNO |
发明人 |
RAFUAEERE ZANBURAANO;ANTONIO GURIMARUDEII |
| 分类号 |
H01L21/8249;H01L21/76;H01L27/06;H01L27/088;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/784 |
主分类号 |
H01L21/8249 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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