| 发明名称 |
INTEGRATED CURRENT-LIMITING DEVICE FOR POWER MOS TRANSISTOR AND PROCESS FOR MANUFACTURE OF IT |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH0645596(A) |
申请公布日期 |
1994.02.18 |
| 申请号 |
JP19930074414 |
申请日期 |
1993.03.31 |
| 申请人 |
KONSORUTSUIO PERU LA RICHIERUKA SUTSURA MIKUROERETSUTORONIKA NERU MEZOJIORUNO |
发明人 |
RAFUAERU ZANBURAANO |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/331;H01L27/06;H01L29/73;H01L29/732;H01L29/735;(IPC1-7):H01L29/784 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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