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发明名称 Verfahren zur Herstellung einer Mesatransistor-Grabenkondensator-Speicherzellenstruktur.
摘要
申请公布号 DE69100789(D1) 申请公布日期 1994.01.27
申请号 DE19916000789 申请日期 1991.06.11
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP., ARMONK, N.Y., US 发明人 DHONG, SANG H., MAHOPAC, N.Y. 10541, US;HWANG, WEI, ARMONK, N.Y. 10540, US
分类号 H01L27/04;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/10;H01L27/108;(IPC1-7):H01L21/82 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人
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