| 主权项 |
1﹒一种镭射蚀刻一种经涂布氧化物或氮化物基质 之方法,其步骤包括:(a )沉积一层无定形矽层于基质上;(b)藉于反应性离 子存在下,曝露该 无定形矽层之经选择区域于镭射光之下,以于该无 定形矽层之上形成一种 图形;(c)于氧化物或氮化物之上,使用该无定形矽 当做一种阻剂,于 一种电浆环境或反应性离子环境下,蚀刻该基质。 2﹒一种镭射蚀刻积体电路装置上之一层二氧化矽 层之方法,其步骤包括:( a)沉积一层无定形矽层于该积体电路装置之二氧 化矽层上;(b)藉于 反应性离子存在下,曝露该无定形矽层之经选择区 域于镭射光之下,以于 该无定形矽层之上形成一种图形;(C)于该二氧化矽 之上,使用该无定 形矽层当做一种阻剂,于一种电浆环境或反应性离 子环境下,蚀刻积体电 路装置上之该二氧化矽层。 3﹒根据申请专利范围第2项之方法,其中该无定形 矽层之厚度系少于约20 00A。 4﹒根据申请专利范围第2项之方法,其中用于该无 定形矽之选择性区域曝光 之镭射,具有5145A之波长。 5﹒根据申请专利范围第2项之方法,其中该反应性 离子系卤素离子。 6﹒根据申请专利范围第5项之方法,其中该反应性 离子系气离子。 7﹒根据申请专利范围第2项之方法,其中该二氧化 矽系于一极含CHF3之 电浆蚀刻剂中蚀刻。 8﹒一种镭射蚀刻积体电路装置上之一层金属层区 域之方法,其步骤包括:( a)沉积一层无定形矽层于该积体电路装置上之金 属层区域;(b)藉于 反应性离子存在下,曝露该无定形矽层之经选择区 域于镭射光之下,以于 无定形矽层上形成一种图形;(c)于该金属层上,使 用该无定形矽当做 一层阻剂,于一种电浆环境或反应性离子环境下, 蚀刻该基体电路装置上 之金属层区域。 9﹒一种擂射蚀刻一种积体电路装置之金属层区域 上之一层二氧化矽层之方法 ,其步骤包括:(a)沉积一层二氧化矽于积体电路装 置之金属层区域上 ;(b)沉积一层无定形矽层于沉积于该金属层区域上 之二氧化矽层;( C)藉于反应性离子存在下,曝露该无定形矽层之经 选择区域于镭射光之 下,以于该无定形矽层上形成一种图形;(d)于该二 气化矽层之上,使 用该无定形矽当做一种阻剂,于一种电浆环境或反 应性离子环境下,蚀刻 沉积于该金属层区域上之该二氧化矽层。 10﹒根据申请专利范围第9项之方法,其步骤进一步 包括:(a)于该金属 层区域上,使用该经蚀刻之二氧化矽屠当做一种阻 剂,于一种电浆环境 或反应性离子环境下,蚀刻该积体电路装置上之该 金属层区域。图示简单说明 图形1系说明根据本发明之一个较佳 具体实施例之第一步骤; 图形2系说明根据本发明之一个较佳 具体实施例之第二步骤; 图形3系说明根据本发明之一个较佳 具体实施例之第三步骤; 图形4系说明根据本发明之一个较佳 具体实施例之结果步骤; 图形5,6,7及8显示,使用本发 明蚀刻一层具有一层无定形矽阻剂之金属 层之不同蚀刻步骤; 图形9,10,11,12及13龋示本发明 之另一个较佳具体实施例,其系以一种双 重阻剂技术,使用一种无定形矽阻剂及一 种二氧化矽经蚀刻硬阻剂二者,以蚀刻一 层金属层。 |
