发明名称 Nichtflüchtige latente Speicherzelle mit reduzierter Tunneleffektschaltung für verbesserte Betriebssicherheit.
摘要
申请公布号 DE3885191(D1) 申请公布日期 1993.12.02
申请号 DE19883885191 申请日期 1988.07.29
申请人 SGS-THOMSON MICROELECTRONICS, INC. (N.D.GES.DES STAATES DELAWARE), CARROLLTON, TEX., US 发明人 O'BRIEN, GEORGE DATER, SCOTTSDALE ARIZONA 85260, US
分类号 G11C17/00;G11C14/00;G11C16/04;(IPC1-7):G11C14/00 主分类号 G11C17/00
代理机构 代理人
主权项
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