| 发明名称 |
EPITAXIAL MAGNESIUM OXIDE AS A BUFFER LAYER FOR FORMATION OF SUBSEQUENT LAYERS ON TETRAHEDRAL SEMICONDUCTORS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0544399(A3) |
申请公布日期 |
1993.10.27 |
| 申请号 |
EP19920309403 |
申请日期 |
1992.10.15 |
| 申请人 |
XEROX CORPORATION |
发明人 |
FORK, DAVID K.;NASHIMOTO, KEIICHI |
| 分类号 |
C30B25/18;C30B29/22;H01L21/36;H01L39/02;H01L39/24;(IPC1-7):H01L21/20;C30B23/02;H01L21/316 |
主分类号 |
C30B25/18 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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