| 主权项 |
1﹒一种具有钝化多层膜之半导体装置,其特征为: 上述纯化膜系由变更电浆 CVD法之成膜条件所形成之内部压缩应力不同之多 数层之氮化矽膜之积 层所构成,下层之氮化矽膜之内部压缩应力比上层 之氮化矽膜之内部压缩 应力大,且下层之氮化膜之厚度之形成比上层之氮 化矽膜之厚度为薄。 2﹒如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,下层 之氮化矽膜之内部压缩 应力为3x109-1x1010dyne/cm2,上层之氮化矽膜具 有下层之氮化矽膜之1/2以下的内部压缩应力。 3﹒如申请专利范围第2项之半导体装置,其中,下层 之氮化矽膜之厚度形成 为上层之氮化矽膜之厚度之1/2以下。 4﹒一种具有钝化多层膜之半导组装置,其特征为: 上述钝化多层膜系由变更 电浆CVD法之成膜条件所形成之氢含量不同之多数 层之氮化矽化膜之积 层所构成,下层之氮化矽膜之氢含量比上层之氮化 矽膜之含氢量小,且下 层之氮化膜之厚度形成比上层之氮化矽陈之厚度 为厚。 5﹒如申请专利范围第4项之半导体装置,其中,下层 之氮化矽膜之氢含量为 0﹒5x1020-5x1020atom/cm3,上层之氮化矽膜具 有下层之氮化矽膜之2倍以上之含氢量。 6﹒如申请专利范围第5项之半导组装置,其中,下层 氮化矽膜之厚度形成为 上层氮化矽膜之厚度之2倍以上。 7﹒一种具有钝化多层膜之半导体装置之制造方法 ,其特征为:在电浆CVD 法,反应室内压力,温度,形成气体种类,形成气体流 量比,RF功率, 电极间距离之任何一种以上之成膜条件予以变更 形成多层之氮化矽膜,下 层之氮化矽膜之内部压缩应力比上层之氮化矽膜 之内部压缩应力大,且下 层之氮化矽膜之厚度形成比上层之氮化矽膜之厚 度为薄之包含上述钝化多 层膜之成膜工程。 8﹒如申请专利范围第7项之半导体装置之制造方 法,其中,在同一电浆CV D装置内将上述成膜条件阶段性的变更,形成内部 压缩应力不同之多层之 氮化矽膜。 9﹒如申请专利范围第7项之半导组装置之制造方 法,其中,在同一电浆CV D装置内将上述成膜条件连续性的变更,形成内部 压缩压力不同之多层之 氮化矽膜。 10﹒一种具有钝化多层膜之半导体装置之制造方 法,其特征为:在电浆CV D法,反应室内压力,温度,形成气体种类,形成气体 流量比,RF功 率,电极间距离之任何一种以上之成膜条件予以变 更形成多层之氮化矽 膜,下层之氮化矽膜之含氢量比上层之氮化矽膜之 含氢量少,且下层之 氮化矽膜之厚度形成比上层之氮化矽膜之厚度为 厚之包含上述钝化多层 膜之成膜工程。 11﹒如申请专利范围第10项之半导体装置之制造方 法,其中,在同一电浆 CVD装置内将上述成膜条件之最少一种阶段性的变 更以形成含氢量不 同之多层氮化矽膜。 12﹒如申请专利范围第10项之半导体装置之制造方 法,其中,在同一电浆 CVD装置内将上述成膜条件之最少一种连续性的变 更以形成含氢量不 同之多层氮化矽膜。图示简单说明: 第1图(A)-(C)系表本发明所适用 之半导体装置之制造工程的概略断面图。 第2图系表用以形成第1图(C)之钝 化膜之电浆CVD装置的断面图。 第3图系表本发明所适用之其他实施 例之半导体装置的概略断面图。 |
