| 主权项 |
1﹒一种确定一系统之移除工具从一底质表面移除 材料之路径之方法,以容许 于该底质之厚度轮廓作成准确的改变,其包含步骤 为:a)从移除程序前 之厚度资料阵列,构建一经处理资料阵列,所述处 理资料阵列包含底质厚 度资料为一座标平面上位置之一函数,以提供至一 装置确保于底质之整个 表面上连续且平滑之工具移动;b)从所述经处理资 料阵列,构建一供移 除工具使用之停留时间相关阵列,为座标平面上位 置之─函数;c)将停 留时间阵列转换成一供移除工具使用之多方向速 度之相关阵列,为座标平 面上位置之一函数。d)沟通所述多方向速度阵列 与一位置控制器,以容 许移除工具之连续且控制之移动。 2﹒如申请专利范围第1项之方法,其中处理步骤另 包含步骤为将资料阵列延 伸过底质之边缘,以提供延伸资料点,使另容许移 除工具之连续导引移动 过底质表面。 3﹒如申请专利范围第2项之方法,其中延伸资料阵 列之步骤另包含一步骤以 于底质边缘考虑轮廓之斜率,及一步骤将所述斜率 包括于延伸资料点之内 。 4﹒如申请专利范围第1项之方法,其中之处理步骤 另包含一步骤以增加移除 处理前厚度对位置之资料阵列之资料点数目。 5﹒如申请专利范围第1项之方法,其中之处理步骤 另包含一步骤使因移除工 具之限制超出系统精确校正能力之误谬资料与实 际厚度资料平滑化。 6﹒如申请专利范围第1项之方法,其中构建步骤另 包含步骤为对阵列上一点 设定起始停留时间,其与该点之膜层厚度误差成比 例,并重复所述步骤以 得到一与阵列上位置相对之起始停留时间。 7﹒如申请专利范围第6项之方法,其中之构建步骤 另包含步骤为模拟由起始 停留时间阵列所得之厚度轮廓,比较该模拟轮廓与 所要轮廓以得到各点之 残留误差,及以残留误差比例调整起始停留时间阵 列以得到一校正之停留 时间阵列。 8﹒如申请专利范围第7项之方法,其中之调整包含 对起始停留时间阵列上各 点加上该差値,另以介于所述点误差与位于所述点 一距离S内各点平均误 差之间,该移除工具足印之特性作调整,其中S为足 印尺寸之大小。 9﹒如申请专利范围第1项之方法,其中于停留时间 阵列之资料被转换成一速 度资料阵列,其藉由转置时间成─速度,后者经确 定为所需移除深度函数 。 10﹒一种确定一系统之移除工具从一底质表面移 除材料之路径之方法,以容 许于该底质之厚度轮廓作成准确的改变,其包含步 骤为:a)从移除程 序前之厚度资料阵列,构建─经处理资料阵列,所 述处理资料阵列包含 底节厚度资料为─座标平面上位置之,函数,以提 供至─接置确保于底 质之整个表面上连续且平滑之工具移动,另包含次 步骤为:1)将资料 阵列延伸过底质边缘,至少为移除工具足印之距离 ,并将底质边缘之轮 廓斜率考虑到所述延伸资料阵列内;2)藉由内插量 测点,使移除处理 前之厚度资料阵列之资料点之数目增加,及3)使因 移除工具之限制超 出系统精确校正能力之误谬资料与实际厚度资料 平滑化:b)从所述述 处理资料阵列,构建一供移除工具使用之停留时间 相关阵列,为座标平 面上位置之一函数,其另包含次步骤为:1)对阵列上 一点设定起始停 留时间,其与该点之膜层厚度误差成比例,并重复 所述步骤以对经处理 阵列上各点得到一起始停留时间,2)模拟底质之处 理后厚度轮廓,后 者将由起始停留时间阵列所得到,其经比较模拟轮 廓与所要轮廓,以对 各点得到一残留误差,并以残留误差比例调整起始 停留3)以反覆计算 之形式,重复该模拟以达到一所要之精确度;及c)将 停留时间阵列转 换成一与移除工具速度相关之多维阵列,为座标平 面上位置之─函数。 d)沟通所述多维速度阵列与一位置控制器,以容许 移除工具之连续且 控制之移动。图示简单说明: 图1为一修改SOI晶圆厚度之系统之 主要组成之流程图。 图2为一确定工具速度图之流程图。 图3d为一削薄矽膜层之干涉条纹图, 其未使用一迟算法连续延伸膜层边缘之资 料。 图3b为一削薄矽膜层之干涉条纹图, 其使用一连算法延伸所量测厚度资料越过 该膜层区域。 图4a为一供材料移除工具使用之轮廓 剖面图。 图4b为移动该移除工具一小距离所形 成各轮廓重叠之剖面图,其各连续行进为 在单一方向上。 图4c为使用一重叠扫描时,晶圆表面 于移除工具扫描过该表面后之一剖面图。 图4d为一工具路径选择之剖面图,其 移除工具参数被改变,而各连续行进在单 一方向上。 图4e为移除工具参数被改变时,晶圆 表面于移除工具扫描过表面后之一剖面图 。 图5a为对矽之材料移除与电浆蚀刻工 具速度之相关图,显示与速度倒数之线性 相关。 图5b为对二氧化矽之材料移除与电浆 蚀刻工具速度之相关图,显示与速度倒数 之非线性相关。 |
