MOS电路的保护装置

摘要

在本保护装置中，焊接区(P)与被保护的晶体管之间的电阻是采用扩展区(e)来实现的，扩展区完全处于焊接区(P)之下并沿扩展区的整个周边延伸出去。细长区(Z)沿扩展区(e)的周边延伸，通过互连通路(b)与电路地端相接，细长区(Z)与互连通路(b)之间是低阻连接。

主权项

1.MOS电路(绝缘栅场效应晶体管集成电路)的保护装置，该装置位于覆盖MOS电路衬底的绝缘层上面的焊接区(P)与被保护的晶体管之间，并包含相反的其它导电类型的电阻，该电阻位于衬底中，并且把焊接区连接到晶体管的端点上，其特征在于：这个电阻是一个扩展区(e)，其表面形状与焊接区(P)的形状相同，扩展区面积大于焊接区，由扩展区、最好是中心区域来支撑焊接区，并通过焊接区构成与扩展区的低阻接触；扩展区(e)至少部分边缘与具有择优最小宽度的细长区(Z、Z1、Z2)相邻，并与细长区相隔一最小间距；细长区与扩展区(e)有相同的导电类型和相同的电阻率；细长区在其表面通过与电路地端相接的互连通路(b)构成接触，在表面与互连通路b之间的连接具有低电阻。