| 摘要 |
<P>L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur. <BR/> Dans ce procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur d'un composé II-VI comprenant du mercure, une couche mince comprenant un élément du groupe Il ou un composé du groupe II qui est solide à la température ambiante, est déposée sur une surface d'un composé semiconducteur II-VI du type P, et un recuit est effectué pour diffuser l'élément du groupe II du film mince dans le composé semiconducteur II-VI du type P. Ainsi une région du composé semiconducteur II-VI du type P sur laquelle la couche mince est présente, est convertie en type N, et il en résulte une jonction PN. De plus, le recuit est effectué sans un profil compliqué des températures, par un procédé simple. <BR/> L'invention est applicable dans le domaine des dispositifs à semiconducteur.</P> |
