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发明名称 METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING REDUCED PARASITICALLY DOPED LAYERS
摘要
申请公布号 US5242850(A) 申请公布日期 1993.09.07
申请号 US19910784990 申请日期 1991.10.30
申请人 NEC CORPORATION 发明人 TASAKA, KAZUHIRO
分类号 H01L21/8246;H01L27/112 主分类号 H01L21/8246
代理机构 代理人
主权项
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