| 发明名称 |
Selective oxidation of silicon trench sidewall |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US5240875(A) |
申请公布日期 |
1993.08.31 |
| 申请号 |
US19920929086 |
申请日期 |
1992.08.12 |
| 申请人 |
NORTH AMERICAN PHILIPS CORPORATION |
发明人 |
TSOU, LEN-YUAN |
| 分类号 |
H01L21/31;H01L21/316;H01L21/32;H01L21/76;H01L21/762 |
主分类号 |
H01L21/31 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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