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La présente invention concerne une structure cristalline composite constituée par une couche épitaxiale (5) des groupes II-VI formée par croissance, sur un substrat (4) choisi parmi le silicium, l'arséniure de gallium et l'arséniure de gallium (GaAs) sur silicium, caractérisée en ce que ledit substrat présente une orientation cristalline comportant un plan (111), ladite couche épitaxiale des groupes II-VI présente une orientation cristalline comportant un plan (111), et en ce qu'il existe un glissement par rotation dans le plan de 30degré entre les orientations cristallines dudit substrat et de ladite couche épitaxiale des groupes II-VI. La présente invention concerne également un procédé d'obtention d'une telle structure cristalline composite par un procédé MOCVD. L'invention est applicable notamment à la détection infrarouge.
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