| 摘要 |
On forme par croissance in situ en phase vapeur des supraconducteurs contenant du thallium en contrôlant la volatilité du thallium. Ceci est réalisé au moyen de l'apport d'oxygène actif à la surface du matériau en croissance et en évitant les collisions d'espèces énergétiques avec ledit matériau. Selon un aspect préféré de l'invention, on forme par croissance un supraconducteur contenant du thallium par ablation laser d'une cible et par apport d'oxygène pendant la croissance. De façon plus spécifique, on crée une source de thallium, calcium, baryum, cuivre et oxygène par ablation laser d'une cible riche en thallium (20), ce qui produit une colonne d'ablation (36) dirigée ensuite sur un substrat chauffé (12) à travers l'oxygène, la pression de la colonne traversant l'oxygène étant située entre 10-2 et 10 torr. On a formé par croissance des films minces supraconducteurs épitaxiaux de thallium, calcium, baryum, cuivre et oxygène au moyen de cette technique. On peut réaliser différentes phases de supraconduction en utilisant le procédé. |
