OHMIC CONTACT FOR P-TYPE GaAs.

摘要

Un contact de résistance faible pour un GaAs de type p est fourni par une structure (1) de Pd/Zn/Pd/Au. Le contact s'adresse à des substrats de systèmes possédant des concentrations porteuses situées dans une plage d'environ 1018 à environ 1020 cm-3. Le contact ohmique possède une couche de Pd de profondeur située entre 3 nm et 15 nm, une couche de Zn de profondeur située entre 5 nm et 40 nm, une deuxième couche de Pd de profondeur supérieure à 50 nm environ et une couche de Au de profondeur supérieure à 300 nm environ. Une structure préférée (1) est représentée par 5 nm/10 nm/100 nm/400 nm de Pd/Zn/Pd/Au. Le dépôt du contact ohmique doit être suivi par un recuit, de préférence exécuté à une température d'environ 200 °C. Les durées de recuit dépendent de la température de recuit, avec une durée typique minimum supérieure à 5 minutes à une température d'environ 200 °C.