BIPOLAR TRANSISTOR FABRICATION UTILIZING CMOS TECHNIQUES,申请号EP19880300586-传众专利搜索

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发明名称	BIPOLAR TRANSISTOR FABRICATION UTILIZING CMOS TECHNIQUES
摘要
申请公布号	EP0281235(B1)	申请公布日期	1993.07.14
申请号	EP19880300586	申请日期	1988.01.25
申请人	TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED	发明人	SPRATT, DAVID;SHAH, RAJIV R.
分类号	H01L27/06;H01L21/331;H01L21/8222;H01L21/8249;H01L29/73;H01L29/732	主分类号	H01L27/06
代理机构		代理人
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