发明名称 正型作用之光阻组合物
摘要 兹提出一种改良的化学敏化型正型作用之光阻组合物,具有高感光度及高图案解析度,用于半导体装置之制造中的光刻蚀造图工作,其使潜像表现极佳的后曝光烘烤稳定性,该潜像系由光阻层经光化射线曝光成图而形成者,不会对图案复制的传真度及感光度有不良影响,即使在曝露于光化射线后及后续之加工处理前经长时间放置也一样。组合物的特征在于除了一经光化射线照射时会释出酸的酸产生化合物及一在酸之存在下会增加在水性硷性显像剂溶液的溶解度之树脂成分外,尚含有胺化合物如三乙胺及羧酸如柳酸之组合。
申请公布号 TW412663 申请公布日期 2000.11.21
申请号 TW085106741 申请日期 1996.06.05
申请人 东京应化工业股份有限公司 发明人 佐藤和史;新田和行;山崎晃义;井与日;中山寿昌
分类号 G03F7/00;G03F7/039 主分类号 G03F7/00
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种化学敏化型正型作用之光阻组合物,其包括 在有机溶剂中均匀溶液形式的: (a)酸产生剂,其系一种化合物被光化射线照射时能 释出酸,用量范围为1至20重量%,此化 合物系选自:双(磺醯基)重氮甲烷化合物、磺醯基 羰基烷化合物、磺醯基羰基重氮甲烷化合 物、硝苯基磺酸酯化合物、多羟基化合物与脂族 或芳族磺酸化合物间的酯化合物及ccim盐化 合物; (b)树脂化合物,在酸之存在下其在硷水溶液中的溶 解度可增加,用量为100重量份,此树脂 化合物系一种基于聚(羟苯乙烯)之树脂,其系一种 聚(羟苯乙烯)树脂,聚(羟苯乙烯)树脂中 的羟基之氢原子至少一部分被保护基所取代,该保 护基系选自:第三丁氧羰基、第三丁基、 第三戊氧羰基及缩醛基; (c)胺化合物,用量范围为成分(b)用量的0.01至1重量% ;及 (d)羧酸化合物,用量范围为成分(b)用量的0.01至5重 量%。2.如申请专利范围第1项之化学敏化型正型作 用之光阻组合物,其中缩醛基系选自:烷氧烷 基,其之烷氧基及烷基各具有1至4个碳原子,四氢 喃基及四氢喃基。3.如申请专利范围第1项之化 学敏化型正型作用之光阻组合物,其中成分(b)系为 下列的组合 : 第一种基于聚(羟苯乙烯)之树脂,其系一种聚(羟苯 乙烯)树脂,此聚(羟苯乙烯)树脂中10至 60%的羟基之氢原子被第三丁氧羰基所取代;及 第二种基于聚(羟苯乙烯)之树脂,其系一种聚(羟苯 乙烯)树脂,此聚(羟苯乙烯)树脂中10至 60%的羟基之氢原子被烷氧烷基断取代,其之烷氧基 及烷基各具有1至4个碳原子; 重量比例范围为10:90至70:30。4.如申请专利范围第1 项之化学敏化型正型作用之光阻组合物,其中当作 成分(c)的胺化合物 系选自:脂族胺化合物、芳族胺化合物及杂环胺化 合物。5.如申请专利范围第4项之化学敏化型正型 作用之光阻组合物,其中当作成分(c)的胺化合物 系脂族胺化合物。6.如申请专利范围第5项之化学 敏化型正型作用之光阻组合物,其中该脂族胺为三 乙基胺。7.如申请专利范围第1项之化学敏化型正 型作用之光阻组合物,其中当作成分(d)的羧酸化合 物系芳族羧酸。8.如申请专利范围第7项之化学敏 化型正型作用之光阻组合物,其中芳族羧酸系柳酸 。9.如申请专利范围第1项之化学敏化型正型作用 之光阻组合物,其中成分(d)的用量范围以重 量计系为成分(c)用量的2至20倍。
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