| 发明名称 | 用于制造包括分流硅层的非易失性存储元件的方法 | ||
| 摘要 | 一种包括分流硅层的非易失性存储元件及其制造方法，所述非易失性存储元件包括选择性生长的外延分流硅层(分流层)，其降低了位线片电阻，并增加了位线迁移率。该分流层可通过高温原位P掺杂沉积而生成。通过本发明的选择性外延生长方法，可以实现不包括自然氧化物并具有极好的电子迁移率的位线接口。 | ||
| 申请公布号 | CN101038893A | 申请公布日期 | 2007.09.19 |
| 申请号 | CN200710086238.0 | 申请日期 | 2007.03.09 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 卢棨彬;杨令武;陈光钊 |
| 分类号 | H01L21/8246(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L27/112(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L23/522(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8246(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王英 |
| 主权项 | 1、一种用于在晶圆上制造非易失性存储元件的方法，包括：将栅极结构形成在基板之上；形成邻接至该栅极结构的扩散区域；以及将分流层形成在该扩散区域中。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||