等离子体蚀刻方法及计算机可读取的存储介质

摘要

本发明提供一种能够确保由SiC系膜构成的蚀刻终止层相对于Low－k膜的蚀刻选择性，并且能够在防止底切的同时进行蚀刻的等离子体蚀刻方法。是对于在基板上依次形成有配线层、由SiC系材料构成的蚀刻阻挡膜、低介电常数(Low－k)膜及蚀刻掩模的结构体，在等离子体蚀刻所述低介电常数(Low－k)膜之后，对蚀刻阻挡膜进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻方法，将等离子体蚀刻所述低介电常数(Low－k)膜之后的所述结构体设置在上下相对设置有第一电极及第二电极的处理容器内，向处理容器内导入包含NF₃的处理气体，向第一电极及第二电极中的任一个施加高频电力、生成等离子体，向任意的电极施加直流电压。

主权项

1.一种等离子体蚀刻方法，其特征在于：是对于在基板上依次形成有配线层、由SiC系材料构成的蚀刻阻挡膜、低介电常数(Low-k)膜及蚀刻掩模的结构体，在等离子体蚀刻所述低介电常数(Low-k)膜之后，对蚀刻阻挡膜进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻方法，包括：将等离子体蚀刻所述低介电常数(Low-k)膜之后的所述结构体设置在上下相对设置有第一电极及第二电极的处理容器内的工序；向所述处理容器内导入包含NF3的处理气体的工序；向所述第一电极及第二电极中的任一个施加高频电力、生成等离子体的工序；以及向所述任意的电极施加直流电压的工序。