| 发明名称 | 使用混合价导电氧化物的存储器 | ||
| 摘要 | 一种使用混合价导电氧化物的存储器。该存储器包括在缺氧状态下具有较弱导电性的混合价导电氧化物以及电解隧道势垒，该电解隧道势垒为氧的电解质并促使电场有效以引起氧离子运动。 | ||
| 申请公布号 | CN101057298A | 申请公布日期 | 2007.10.17 |
| 申请号 | CN200580038024.5 | 申请日期 | 2005.09.01 |
| 申请人 | 统一半导体公司 | 发明人 | D·赖纳森;C·J·谢瓦利耶;W·金尼;R·兰伯特森;S·W·龙科尔;J·E·小桑切斯;L·施洛斯;P·F·S·斯沃布;E·R·沃德 |
| 分类号 | G11C16/02(2006.01);H01L45/00(2006.01) | 主分类号 | G11C16/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 曾祥夌;王小衡 |
| 主权项 | 1.一种存储元件，包括：混合价导电氧化物，所述混合价导电氧化物在其缺氧状态下具有较弱导电性；以及电解隧道势垒，所述电解隧道势垒为氧的电解质并促使电场有效以引起氧离子运动。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||