发明名称 陷入式发光二极体
摘要 本发明关于一种发光二极体阵列系统(202),其包含至少一发光二极体封装(200),该至少一发光二极体封装包含一发光二极体(204)且系配置于一具有用于供应该发光二极体封装(200)一驱动电压之构件(208)的基底(206)上,其中该至少一发光二极体封装系陷入一覆盖该基底板(206)的支撑层(212)中。为能改善光学效率并减少眩光,该发光二极体封装亦包含一反射器(220),其具有一用于准直由该发光二极体(204)所发射之光的反射表面。本发明亦关于包含该发光二极体阵列系统的发光系统及一种产生该发光二极体阵列系统的方法。
申请公布号 TW200818543 申请公布日期 2008.04.16
申请号 TW096114130 申请日期 2007.04.20
申请人 皇家飞利浦电子股份有限公司 发明人 艾瑞克 布尼坎普;珍 保罗 贾库柏斯;莫利斯 亚历山大 雨果 朶纳斯;HUGO
分类号 H01L33/00(2006.01);F21V7/04(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 荷兰