| 摘要 |
Ce procédé est caractérisé par les étapes consistant à: (a) produire un substrat (1) en GaAs ou InP, (b) épitaxier sur ce substrat une couche intercalaire (2) en AlGaAs ou AlInAs riche en aluminium (au moins 40 %), (c) épitaxier sur cette couche intercalaire une couche active (3) d'un matériau riche en aluminium, (d) réaliser, par gravure et métallisation, un ensemble de composants (5), (e) appliquer une couche protectrice (6) d'un matériau de passivation ou d'une résine photosensible, (f) graver sélectivement cette couche protectrice jusqu'à mettre à nu la couche intercalaire entre les composants, (g) fixer sur l'ensemble une plaque support commune (8) solidarisant mécaniquement les composants, et (h) dissoudre le matériau de la couche intercalaire par action chimique d'un solvant sur les régions (7) mises à nu, en laissant intacts les autres matériaux de manière à séparer, sans le dissoudre, le substrat d'avec les composants. |
