半导体装置和其制造方法

摘要

明的课题之一在于：提供使用不包含In、Ga等的稀有金属而包含Zn的氧化物层的电晶体；在使用包含Zn的氧化物层的电晶体中，减少截止电流并使电特性稳定。在使用包含Zn的氧化物层的电晶体中，在氧化物层上层叠包含绝缘氧化物的氧化物半导体层并以氧化物层和源极电极层或汲极电极层隔着包含绝缘氧化物的氧化物半导体层重叠的实施例形成电晶体，从而可以减少电晶体的临界值电压的不均匀并使电特性稳定。

主权项

一种半导体装置，包含：闸极电极层；该闸极电极层上的闸极绝缘层；该闸极绝缘层上的第一氧化物半导体层；该第一氧化物半导体层上的源极电极层和汲极电极层；该源极电极层、该汲极电极层和该氧化物半导体层上的包括绝缘氧化物的氧化物半导体层，其中该第一氧化物半导体层和该包括绝缘氧化物的氧化物半导体层包含锌，以及其中该包括绝缘氧化物的氧化物半导体层在该源极电极层和该汲极电极层间的部分与该第一氧化物半导体层接触。