半导体元件与其制作方法

摘要

明提供之半导体元件与其形成方法，具有五个闸极堆叠于基板的不同区域上。半导体元件包括半导体基板与隔离结构以分隔基板上的不同区域，这些区域包含p型场效电晶体核心区、输入/输出p型场效电晶体区、n型场效电晶体核心区、输入/输出n型场效电晶体区、与高电阻区。

主权项

一种半导体元件，包括：一半导体基板；一隔离结构，分隔该半导体基板上的不同区域；一p型场效电晶体核心区具有一第一闸极堆叠于该半导体基板上，其中该第一闸极堆叠包括一第一界面层、一第一高介电常数之介电层于该第一界面层上、以及一第一材料之第一盖层位于该第一高介电常数之介电层上；一输入/输出p型场效电晶体区具有一第二闸极堆叠于该半导体基板上，其中该第二闸极堆叠包括一第一介电层、一第二界面层位于该第一介电层上并直接接触该第一介电层、一第二高介电常数之介电层于该第二界面层上、以及一第一材料之第二盖层位于该第二高介电常数之介电层上，其中该第二界面层为氧化矽；一n型场效电晶体核心区具有一第三闸极堆叠于该半导体基板上，其中该第三闸极堆叠包括一第三界面层、一第三高介电常数之介电层于该第三界面层上、以及一第二材料之第三盖层位于该第三高介电常数之介电层上；一输入/输出n型场效电晶体区具有一第四闸极堆叠于该半导体基板上，其中该第四闸极堆叠包括一第二介电层、一第四界面层位于该第二介电层上并直接接触该第二介电层、一第四高介电常数之介电层于该第四界面层上、以及一第二材料之第四盖层位于该第四高介电常数之介电层上，其中该第四界面层为氧化矽；以及
一高电阻区具有一第五闸极堆叠于该半导体基板上，其中该第五闸极堆叠包括一第五界面层、一第五高介电常数之介电层于该第五界面层上、以及一第二材料之第五盖层位于该第五高介电常数之介电层上。