摘要 |
박막 트랜지스터, 그 제조 방법, 어레이 기판, 및 디스플레이 디바이스가 개시된다. 박막 트랜지스터는 기판; 기판 위에 형성된 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극, 및 반도체층; 게이트 전극과 반도체층 사이 또는 게이트 전극과 소스 전극 및 드레인 전극 사이의 게이트 절연층; 반도체층과 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 있으며, 소스 컨택 홀 및 드레인 컨택 홀을 갖는 식각 정지층; 및 소스 전극과 반도체층 사이의 소스 버퍼층 및 드레인 전극과 반도체층 사이의 드레인 버퍼층을 포함한다. 소스 전극 및 드레인 전극은 금속 Cu 전극이고, 소스 버퍼층 및 드레인 버퍼층은 Cu 합금층이다. 소스 버퍼층 및 드레인 버퍼층의 형성은 아래 있는 반도체층에 대한 소스 전극 및 드레인 전극의 접착력을 개선하며 이로써 TFT의 성능 및 화질을 개선한다. |