| 发明名称 |
METHOD OF FABRICATING A SUBMICRON SILICON GATE MOSFET WHICH HAS A SELF-ALIGNED THRESHOLD IMPLANT |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2227880(B) |
申请公布日期 |
1993.03.31 |
| 申请号 |
GB19890023884 |
申请日期 |
1989.10.24 |
| 申请人 |
* STANDARD MICROSYSTEMS CORPORATION |
发明人 |
JOHN E * BERG |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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