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<P>L'invention concerne un procédé de gravure en pente d'une couche d'un circuit intégré. <BR/> La couche à graver 1 est revêtue d'une couche de réserve 2 formant masque. Le procédé consiste à effectuer conjointement une passivation P du flanc de gravure de la couche à graver 1 et une érosion non isotrope de la couche de réserve 2 formant masque, ce qui permet de contrôler la pente pe du flanc de gravure de la couche à graver 1. <BR/> Application à la gravure en pente des couches d'interconnexion de circuits intégrés.</P>
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