| 发明名称 |
SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AN ISOLATION REGION ENRICHED IN OXYGEN AND A FABRICATION PROCESS THEREOF. |
| 摘要 |
Le procédé décrit, qui sert à faire croître une couche épitaxiale d'un matériau semiconducteur constitué par un composé de groupe III-V, qui contient de l'oxygène, consiste à utiliser une source de molécules d'un composé organique qui contient un élément de groupe V et de l'oxygène dans la molécule, puis à décomposer les molécules du composé organique pour libérer l'élément de groupe V et l'oxygène. |
| 申请公布号 |
EP0526646(A1) |
申请公布日期 |
1993.02.10 |
| 申请号 |
EP19920905007 |
申请日期 |
1992.02.18 |
| 申请人 |
FUJITSU LIMITED |
发明人 |
KIKKAWA, TOSHIHIDE, FUJITSU LIMITED;OHORI, TATSUYA, FUJITSU LIMITED 115, KAMIKODANAKA |
| 分类号 |
C30B25/02;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/338;H01L21/76;H01L21/8252;H01L27/06;H01L29/778;H01L29/812 |
主分类号 |
C30B25/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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