| 主权项 |
1.一种场效薄膜电晶体结构,具有一作用区及一场 区,其 中作用区是一由一闸极,一源极,一汲极及一通道 构成, 而场区是指作用区外之电晶体区域,此电晶体包括 有:一 绝缘基板,一比作用区还宽的闸极电极,一层覆盖 在场区 及部分源极及汲极区的第一层绝缘层,一层覆盖在 作用区 及场区上的闸极绝缘层,一层覆盖在闸极绝缘层上 的半导 体层,并将此层蚀刻出一比闸极电极更小范围之作 用区, 为电晶体的源极,闸极及通道,一层第二半导体层, 此半 导体层是高掺杂半导体,并且蚀刻出源极和汲极的 接触区 ,一层覆盖在薄膜电晶体上的金属薄膜,并蚀刻出 薄膜电 晶体所需的源极与汲极和薄膜电晶体列阵的接线 。2.如专利申请范围1所述之薄膜电晶体结构,其中 基板是 透明的。3.如专利申请范围1所述之薄膜电晶体结 构,其中第一层 半导体层是非晶矽。4.如专利申请范围1所述之薄 膜电晶体结构,其中第二半 导体层是高掺杂非晶矽。5.如专利申请范围1所述 之薄膜电晶体结构,其中闸极金 属材料是铝、铬、或其它金属。6.如专利申请范 围1所述之薄膜电晶体结构,其中所述的 第一层绝缘层氮化矽。7.如专利申请范围1所述之 薄膜电晶体结构,其中所述的 闸极绝缘层是氮化矽。8.如专利申请范围6所述之 薄膜电晶体结构,其中所述的 氮化矽层的沆积温度高于250℃。9.如专利申请范 围1所述之薄膜电晶体结构,其中在作用 区上有一层第三绝缘薄膜覆盖于非晶矽层上,而高 掺杂非 晶矽薄膜覆盖其上。10.如专利申请范围9所述之薄 膜电晶体结构,其中第三层 |
