发明名称 用于非晶矽自行扫描矩阵阵列之逻辑电路
摘要 一种逻辑电路包含拉上及拉下电晶体及一电容器。电晶体之主导电径路及电容器串连于一第一供应汇流排及一时间变化电位源之间。拉上电晶体连接至该电容器,及该电容器连接至时间变化电位。第一及第二逻辑信号分别施加于第一及第二电晶体之控制电极上。时间变化电位安排用以限制由拉上电晶体所通过之电荷,俾可使用较小之拉下电晶体。时间变化电位具有一充分大之幅度,倾向于施加应力于拉上电晶体,如该电晶体不导电的话。选择性导电元件(二极体)连接于一夹定电位点及接上电晶体及电容器之互接点之间。
申请公布号 TW198475 申请公布日期 1993.01.11
申请号 TW081212399 申请日期 1991.12.20
申请人 陶姆逊股份有限公司 发明人 罗杰.史都华
分类号 G06F13/00;H01L31/04 主分类号 G06F13/00
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1.一种逻辑电路,包含一供应电位源;一第一及第二 控制 信号源;一第三控制信号源,该第三控制信号具有 一较长 之前过渡边缘及一较短之后过渡边缘;一电容器; 第一及 第二电晶体,各具有第一及第二电极及其间之一主 导电径 路,并具有各别之控制电极,第一电晶体之第一电 极连接 至第二电晶体之第二电极,第二电晶体之第一电极 连接至 供应电位源,及该电容器连接于第一电晶体之第二 电极及 第三控制信号源之间;用以分别供应第一及第二控 制信号 于第一及第二电晶体之控制电极上之装置;选择性 导电装 置,连接至第一电晶体之第二电极,用以防止在第 二电极 上所发生之电位超出一预定幅度。2.如申请专利 范围第1项所述之逻辑电路,其中,用以供 应第一控制信号至第一电晶体之控制电极上之装 置在提供 一控制信号,以置第一电晶体于导电情况中时,对 控制电 极呈现一高阻抗。3.如申请专利范围第2项所述之 逻辑电路,另包含另一电 容器,连接于第一电晶体之第一及控制电极之间。 4.如申请专利范围第1项所述之逻辑电路,另包含: 一第 三电晶体,与第一电晶体相似另一选择性导电装置 ,与该 选择性导电装置相似;另一电容器;一第四控制信 号源, 第四控制信号具有一较长之前过渡边缘及一较短 之后过渡 边缘,并具有与第三控制信号不同之相位,其中,第 四控 制信号由该另一电容器交连至第三电晶体之第二 电极,及 第三电晶体之第一电极连接至第二电晶体之第二 电极;及 连接该另一选择性导电装置至第三电晶体之第二 电极上之 装置,用以防止在第三电晶体之第二电极上所发生 之电位 超出该预定幅度。5.如申请专利范围第4项所述之 逻辑电路,另包含一第四 电晶体,具有第一及第二电极及其间之一主导电径 路,并 且有一控制电极,第四电晶体之控制电极连接至第 一及第 三电晶体之第一电极,及第四电晶体之第一电极连 接至该 供应电位;及负荷装置,连接至第四电晶体之第二 电极。
地址 法国