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Es wird ein in Einheitszellen (EZ) unterteiltes, abschaltbares Leistungshalbleiter-Bauelement vorgeschlagen, welches in einem Halbleitersubstrat (1) zwischen einer Anode (A) und einer Kathode (K) fünf Schichten in p-n-p-n-p-Reihenfolge, nämlich eine Anodenschicht (10), eine n-Basisschicht (9), eine p-Basisschicht (8), ein Abschaltgebiet (6), ein an das Abschaltgebiet angrenzendes Kathodengebiet (7) und ein p-dotiertes p-Kurzschlussgebiet (5) umfasst. In jeder Einheitszelle (EZ) ist kathodenseitig ein erster, über eine erste isolierte Gateelektrode (G1) ansteuerbarer MOSFET (M1) zur Umschaltung zwischen der Fünfschicht-Struktur und einer herkömmlichen Thyristor-Vierschicht-Struktur vorgesehen. Ein zweiter MOSFET (M2) mit einer zweiten Gateelektrode (G2) verhindert beim Abschalten einen Durchbruch zwischen dem p-Kurzschlussgebiet (5) und dem Abschaltgebiet (6). p-Kurzschlussgebiet (5), Abschaltgebiet (6) und Kathodengebiet (7) sind selbstjustierend durch Fenster (F1,F2) zwischen den Gateelektroden (G1 bzw. G2) in das Halbleitersubstrat (1) eingebracht. Durch die schaltbare Fünfschicht-Struktur wird wirksam eine Strom-Filamentierung beim Abschalten vermieden. Die selbstjustierende Herstellung ermöglicht ein Bauelement mit präziser Strukturierung. <IMAGE>
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