半导体记忆装置

摘要

本发明系提供一种半导体记忆装置，系由：记忆单元、文字线、一对位元线、及自由充电手段所构成，其中更包含漏电流补偿电路，用以补偿与记忆单元连接的位元线的漏电流、及防止流入记忆单元的CMOS长周期电流，所用CMOS电晶体交叉结合，所构成的。

主权项

1、一种半导体记忆装置，具备有：复数的文字线与复数的位元线对；多数的记忆单元，系具有分别与前述文字线及位元线的各交点连接的锁存构造；自由充电手段，系连接于前述成对的位元线与电源之间，在读出或写入前，以一定电位，将位元线充电至同电位；及，漏电流补偿电路，用以补偿前述记忆单元的漏电流，其特征在于：前述漏电流补偿电路系插入电源与位元线对之间；且，由一对切换电晶体的各栅极端子连接于对方的漏极端子，所构成的。