发明名称 PRETREATMENT METHOD FOR GAP SUBSTRATE CRYSTAL
摘要
申请公布号 JPH04365325(A) 申请公布日期 1992.12.17
申请号 JP19910141837 申请日期 1991.06.13
申请人 SUMITOMO ELECTRIC IND LTD 发明人 SAEGUSA AKIHIKO
分类号 H01L21/308 主分类号 H01L21/308
代理机构 代理人
主权项
地址
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