| 摘要 |
<p>Die Erfindung beschreibt ein vereinfachtes Verfahren zur Herstellung von Fluorid-haltigen quellfähigen Magnesium-Schichtsilikaten vom Smectit-Typ, insbesondere entsprechenden Verbindungen mit Hectorit-Struktur unter Einschluß einer hydrothermalen Reaktionsstufe der Schichtsilikat-bildenden Reaktanten bei erhöhten Drucken und Temperaturen. Das neue Verfahren kennzeichnet sich dadurch, daß man ein gewünschtenfalls von Fremdsalzen praktisch befreites hydroxidisches Copräzipitat von Magnesium und Silicium in alkalisch wäßriger Suspension und in Gegenwart von gelösten MgSiF6 und/oder weiteren Fluoridionen liefernden Salzen der hydrothermalen Umsetzung unterwirft und gewünschtenfalls den gebildeten Feststoff nach Abkühlung von der wäßrigen Phase und von gegebenenfalls darin gelösten Fremdsalzen abtrennt. Das so gewonnene Feuchtprodukt besitzt noch keine wesentliche Quellfähigkeit in Wasser. Die Erfindung sieht als letzte Verfahrensstufe eine Trocknung dieses Feuchtprodukts bei mäßig erhöhten Temperaturen vor. Hierdurch wird in der Verfahrensendstufe das kristalline hoch-quellfähige Schichtsilikat gebildet. Gegenstand der Erfindung ist weiterhin die Verwendung derart hergestellter Schichtsilikate im Zusammenhang mit der Eindickung wäßriger Flüssigphasen. Nach an sich bekannter oleophiler Ausrüstung der erfindungsgemäß hergestellten Schichtsilikate eignen sich diese modifizierten Verdicker zum Einsatz in organischen Phasen.</p> |
