发明名称 STRUTTURA DI TRANSISTORE MOS E PROCEDIMENTO PER LA SUA FABBRICAZIONE
摘要
申请公布号 ITRM910646(A1) 申请公布日期 1992.12.01
申请号 IT1991RM00646 申请日期 1991.08.29
申请人 SAMSUNG-ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 HWANG CHANG-KYU;RHO BYEONG-HYEOK
分类号 H01L29/78;G11C;H01L21/336;H01L29/423 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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