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Es wird ein Verfahren zur Herstellung von feinteiligem kristallinem Siliciumnitrid mit einer mittleren Korngröße (d50) von 0,4 bis 1,0 µm durch Aufmahlen und Erhitzen von amorphem Siliciumnitrid und/oder amorphem Siliciumnitridimid beschrieben, welches dadurch gekennzeichnet ist, daß man das Aufmahlen des amorphen Siliciumnitrids und/oder des amorphen Siliciumnitridimids zusammen mit kristallinem Siliciumnitrid einer Kristallitgröße von 0,040 bis 0,060 µm durchführt und dieses aufgemahlene Siliciumnitrid-Gemenge in Stickstoffatmosphäre auf eine Temperatur von 1100 bis 1600 °C erhitzt.
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