发明名称 |
垂直双极型晶体管 |
摘要 |
双极型和CMOS晶体管。掩膜、图形制作和注入被集成以减少复杂性,形成PMOS和NMOS栅极导体和双极型发射极结构的并合多晶硅。多晶硅被重掺杂以形成MOS晶体管栅极和另一高杂质浓度的区域,该区城嗣后被扩散至双极型基区。对双极型晶体管的集电极、基极、发射极和MOS晶体管的栅极、源极、漏极用横向延伸的接触条带可制作面积小性能高的晶体管。对电极金属化图形对准的要求可降低。 |
申请公布号 |
CN1018779B |
申请公布日期 |
1992.10.21 |
申请号 |
CN90108153.1 |
申请日期 |
1988.01.30 |
申请人 |
得克萨斯仪器公司 |
发明人 |
拉杰夫·让·沙夏;托安·特兰 |
分类号 |
H01L29/50;H01L29/73;H01L21/82 |
主分类号 |
H01L29/50 |
代理机构 |
上海专利事务所 |
代理人 |
傅远 |
主权项 |
1.一种垂直双极型晶体管,包括:一块半导体基片,一个半导体集电极区,一个在所述的基片表面上的集电极区内形成的半导体基区,一个至少覆盖一部分所述的基区的绝缘层,所述的绝缘层具有一个确定下面发射极区的开孔,一个位于所述的基区中并对准所述的开孔的半导体发射极区,一个覆盖在所述的绝缘层上、通过所述的开孔与所述的发射极区形成接触的多晶硅层,一个与所述的多晶硅发射极层形成硅化物的第一金属导体,一个与所述的基区形成电气接触的第二导电体,与所述的集电极区形成电气接触的第三导电体,其特征在于;进一步包括一重掺杂的半导体区域,在所述第二导电体和所述基区之间的硅化物中间层,以及位于所述的第三导电体和所述的集电极区之间的硅化物中间层。 |
地址 |
美国得克萨斯州 |