| 主权项 |
1.一种包含以下列步骤所制得产物的触媒:(a)处理 一惰 性无机撑体以移除表面经基;(b)将该经处理惰性无 机撑 体与结构式为Mg(OR)rXt,此处R为烃基;X为卤素,r为1 或2;且t为0或1之烃可溶镁化合物接触;(c)将该步骤( b) 之该产物与选自卤化矽、齿化硼、卤化铝、烷基 卤化矽、 六烷基二矽氨烷或其混合物之改良化合物接触;及 (d)该 该步骤(c)之该产物与结构式为V(O)s、X14-s的钒化合 物 ,此处X1为卤素;且S为0或1,结构式为T1(OR2)nX2m的第 一含钛化合物,此处R2为烃基;X2为卤素;n为1到4的整 数;且m为0或1到3的整数,其附带条件为n与m的总和 为4 ;及结构式为TiX3p(OR3)q的第二含钛化合物相接触,此 处X3为卤素;R3为烃基;p为1到4的整数;且q为0或1到3 的整数,其附带条件为p与q之总和为4且该第一与第 二含 钛化合物不相同,其中钒与钛之莫耳比为约30:100至 约70:100。2.根据申请专利范围第1项之触媒,其中该 惰性无机撑体 为矽石、矾土、氧化钛或氧化锆。3.根据申请专 利范围第1项之触媒,其中该步骤(a)之处理 方法包含加热该惰性无机撑体至温度范围介于约 100℃与 约150℃间历时约30分钟至约3小时。4.根据申请专 利范围第1至3项中任一项之触媒,其中该无 机撑体为在该加热步骤前以六甲基二矽氨烷预处 理之矽石 。5.根据申请专利范围第1项之触媒,其中R为C1-C12 烷基; 且X为氯或溴。6.根据申请专利范围第5项之触媒, 其中R为C4-C10烷基; X为氯;且r与t为1。7.根据申请专利范围第1项之触 媒,其中该步骤(b)发生于 约40℃至约130℃温度范围间历时约20分钟至约5小 时。8.根据申请专利范围第1项之触媒,其中该改良 化合物为 四氯化矽或四溴化矽。9.根据申请专利范围第1项 之触媒,其中该步骤(c)发生于 温度范围介于约15℃与约100℃间历时约15分钟至约 3小时 。10.根据申请专利范围第1项之触媒,其中该步骤(c )和/ 或(d)之该产物以有机溶剂洗涤。11.根据申请专利 范围第1项之触媒,其中该钒化合物为钒 氧氯化物或四氯化钒。12.根据申请专利范围第1项 之触媒,其中该第一含钛化合 物以R2为烷芳基或烷基;n为4;且m为0为特征。13.根 据申请专利范围第1项之触媒,其中该第二含钛化 合 物以X3为氯或溴;p为4;且q为0为特征。14.根据申请 专利范围第1项之触媒,其中该步骤(d)发生 于温度范围介于约40℃与约140℃历时约15分钟至约 3小时 。15.根据申请专利范围第1项之触媒,其中步骤(c) 产物同 时,以混合物形式或以任何顺序连续与该钒化合物 及该第 二含钛化合物接触。16.根据申请专利范围第1项之 触媒,其中烃可熔镁化合物 为2-甲基戊基氧氯化镁、钛酸酯为四甲苯基 酸酯 且卤化 钛为四氯化钛。17.一种制造烯系聚合物之方法,包 含干烯烃聚合条件下 ,申请专利范围第1至16项中任一项中的触煤、一铝 化合 物、及矽烷化合物存在下聚合至少一种烯烃。18. 根据申请专利范围第17项之方法,其中铝化合物为 铝 烷基或烷基铝卤化物且矽烷化合物结构式为R4u(OR5 )4- uSi,此处R4与R5为相同或不同且为烃基;且u为1到3的 整 |
