| 主权项 |
1.一种M/Si莫耳比极大値为0.03之晶性微孔(金属)矽 酸盐 ,其中M代表至少Al、Fe、B、Ga,或一Ti之一种,含少于 1重量百分率之有机模板(起始的)材料并具有0.1-1 之相对 缺陷保留値(RDR),其中RDR値定义为(C-C*)/(1-C*),其 中C代表缺陷存在百分率,C*代表当含晶性(金属)砂 酸盐 之对应至少1重量百分率之有机模板(起始的)材料 于空气 中550℃之温度经标准煆烧处理历4小时时之缺陷保 留百分 率,其中i代表原始存在于含(金属)矽酸盐未煆烧对 应有 机模板中之缺陷百分率,且其中i>C*。2.根据申请专 利范围第1项之晶性微孔(金属)矽酸盐,此 矽酸盐具有(0.20-0.90之RDR値,更佳为0.30-0.90。3.根据 申请专利范围第1或2项之晶性微孔(金属)矽酸盐, 此矽酸盐具有绝对缺陷保留値(ADR)至少2重量百分 率,更 佳为至少4重量百分率,其中ADR値定义为(C-C*),而C及 C *系如申请专利范围第1项所定义之意义。4.根据申 请专利范围第1或2项之晶性微孔(金属)矽酸盐, 此矽酸盐M/Si莫耳比之极大値为0.015。5.根据申请 专利范围第1或2项之晶性微孔(金属)矽酸盐, 其中M代表Al。6.根据申请专利范围第1或2项之晶性 微孔(金属)矽酸盐, 其中已并入一种或多种催化活性物种,尤其是含一 种或多 种IVB、VB、VIB、VIIB及VIII族金属盐之催化活性化合 物 。7.一种制备如申请专利范围第1或2项之晶性微孔 (金属)矽 酸盐之方法,此方法包含使M/Si莫耳比极大値为0.03, 其 中M代表至少Al、Fe、B、Ga,或Ti之一种及含少于1重 量 百分率模板之晶性(金属)矽酸盐接受热处理,此热 处理系 于氧气存在下,于400-600℃之温度及最多500毫巴之 压力 下进行至少1小时。8.根据申请专利范围第7项之方 法,其中煆烧处理系于450 -500℃之温度下进行。9.根据申请专利范围第7项之 方法,其中煆烧处理系于低 于350毫巴压力下进行。10.根据申请专利范围第7项 之方法,其中煆烧处理进行至 少2小时。11.根据申请专利范围第7项之方法,其中 煆烧处理系于空 气中进行。12.根据申请专利范围第7项之方法,其 中模板试剂包含有 机阳离子,尤其是四级铵离子或其前驱物。13.根据 申请专利范围第7项之方法,其中晶性(金属)矽酸 盐M/Si莫耳比之极大値为至少0.015。14.一种进行催 化性反应之方法,其中使用如申请专利范 |
