发明名称 | 用无压或低压气体烧结法制备的致密自增强氮化硅陶瓷 | ||
摘要 | 由无压烧结或低压气体烧结制备的致密的自增强氮化硅陶瓷,其组成包括(a)氮化硅,其中至少有20%是高平均纵横比的β—氮化硅形式;(b)2—10%(重量)的玻璃态晶界相,含氧化镁、氧化钇、二氧化硅、氧化锆,并且还可含选自氧化钙、氧化镓、氧化铟和氧化铪的一种氧化物;(c)氧化锆第二结晶相,其量为0.5—5.0%(重量);(d)金属硅化锆和/或金属氮化硅锆的结晶相,其总量为0.1—3.0%(重量)。该陶瓷呈现高断裂韧性和高断裂强度,密度至少为理论值的98%。 | ||
申请公布号 | CN1064260A | 申请公布日期 | 1992.09.09 |
申请号 | CN92101117.2 | 申请日期 | 1992.02.18 |
申请人 | 陶氏化学公司 | 发明人 | A·J·皮兹克 |
分类号 | C04B35/58;C04B35/64 | 主分类号 | C04B35/58 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人 | 徐汝巽 |
主权项 | 1、一种用无压或低压气体烧结制备致密的自增强氮化硅陶瓷体的方法,该方法包括将包括下述(a)-(e)的粉末混合物: (a)提供陶瓷体的足够量的氮化硅 (b)促进粉末致密化的足够量的氧化镁; (c)促进起始氮化硅基本上完全转化成β-氮化硅的足够量的氧化钇; (d)催化量的氧化锆; (e)促进形成β-氮化硅晶须的足够量的晶须生长加强化合物,该化合物是选自氧化钙、氧化钽、氧化镓、氧化铪或氧化铟、的氧化物处于大气压(1大气压)至100大气压的压力范围和足以提供致密化值至少为理论值的98%并足以提供就地形成高纵横比的β-氮化硅晶须的温度条件,使陶瓷体具有Palmqvist韧性大于37kg/gmm。 | ||
地址 | 美国密执安 |