| 发明名称 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UN CONDENSATEUR D'UN DISPOSITIF DE MEMOIRE A SEMICONDUCTEUR. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2662302(B1) |
申请公布日期 |
1992.08.14 |
| 申请号 |
FR19900011611 |
申请日期 |
1990.09.20 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD |
发明人 |
KYUNG-HUN KIM;SEONG-TAE KIM;HYEONG-KYU LEE |
| 分类号 |
H01L27/04;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/10;H01L27/108;(IPC1-7):H01L27/108;H01L29/91;H01L21/82 |
主分类号 |
H01L27/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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